ウェーハバンプ検査装置「WVIシリーズ」

近年、半導体工程における半導体チップの高密度化によって、多数チップの集合体であるウェーハ上でバンプ形成が行われ、ウェーハの生産量も増加してます。
そのような流れの中でバンプの高さ検査は、半導体チップの電気接続性能に直結するため重要な意味を持ってます。
高岳製作所では、独自の非走査マルチビーム共焦点撮像系を、従来より培ってきた2次元計測技術に結び付けて　3D/2Dウェーハバンプ検査装置を提供いたします。

「WVI-6000α」

WVI-6000αは300mmウェーハ対応の最上位バンプ検査マシンです。
高精度・広視野2D/3Dセンサを搭載し、16WPH（300mmウェーハ）を実現しました。

SEMICON展示会場で
実機をご覧下さい！

特徴

高さ繰り返し精度（3σ）：3μm以下

300mmウェーハで16WPHの業界最高速検査
　　スピード（2D/3D全バンプ検査）

200mmカセット、300mmFOUP対応フルオート
　　マシン

ロットサマリからチップレポートまで豊富な検査
　　レポート出力機能

検査項目と繰り返し精度

3D検査部
バンプ高さ：0.85μm
コプラナリティ：0.85μm

2D検査部
バンプ径：-
バンプ位置ずれ：-
バンプ間異物ブリッジ円形度：-

*精度は弊社標準サンプルでの計測値です。

主な仕様

搭載センサタイプ	：NCS-6000α
検査速度	：36WPH（200mmウェーハ）/16WPH（300mmウェーハ）
バンプスペック
バンプ径	：50μm≦
バンプピッチ	：100μm≦
バンプ高さ	：150μm≧
装置サイズ（mm）	：3300×1600×2150

高岳のウェーハバンプ検査装置は、お客様のニーズに合わせたセンサを搭載することにより、バリエーションに富んだ検査装置をご提供することができます。

「WVI3000-EXA」

検査対象物	バンプ付きウェーハワークサイズ：8インチ及び12インチバンプ径：70μm以上バンプピッチ：140μm以上バンプ高さ：10μm以上140μm以下
検査項目	3D：バンプ高さ　コプラナリティ 2D：バンプ径　バンプXY位置ずれ量
検査精度	3D：3σ1.0μm以下（繰り返し精度） 2D：3σ3.0μm以下（繰り返し精度）

資料請求/お問合せ

株式会社高岳製作所エレクトロニクス装置事業本部
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